پاورپوینت کامل بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs و تحلیل علمی اصول عملکرد

توجه : این پروژه به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 پاورپوینت کامل بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs و تحلیل علمی اصول عملکرد دارای ۱۸ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در Power Point می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل پاور پوینت پاورپوینت کامل بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs و تحلیل علمی اصول عملکرد  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

---

لطفا به نکات زیر در هنگام خرید

پدانلود پاورپوینت بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs

توجه فرمایید.

۱-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه 

پدانلود پاورپوینت بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs

قرار داده شده است

۲-به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید

۳-پس از پرداخت هزینه ، حداکثر طی ۱۲ ساعت پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما ارسال خواهد شد

۴-در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

۵-در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون زیر قرار داده نشده است

---

بخشی از متن پاورپوینت کامل بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs و تحلیل علمی اصول عملکرد :

اسلاید ۱ :

نور لیزر

تعریف: نور تقویت شده به وسیله گسیل القایی

Light Amplitude Stimulated Emission of Radiation

LASER

مشخصات نور لیزر:

۱تکفامی     ۲درخشایی       ۳همدوسی     ۴جهتمندی

اصل تعادل گرمایی:بنابر قانون بولتزمان اتمها ابتدا ترازهای پایین را اشغال و سپس تراز بالا را اشغال میکنند.

اسلاید ۲ :

برهمکنش امواج الکترومغناطیسی با اتم

.۱گسیل القایی

.۲گسیل خود بخودی

.۳جذب

اسلاید ۳ :

شرط اساسی ایجاد نور لیزر

ایجاد وارونی انبوهی(inverse population):

روش های ایجاد وارونی انبوهی:

.۱دمش اپتیکی 

.۲دمش الکتریکی

هدف از دمش این است که فرآیند گسیل القایی بر فرآیند جذب غلبه کند یعنی: بهره > اتلاف

اسلاید ۴ :

انواع کاواک لیزری

.۱کاواک پایدار(stable)

.۲کاواک ناپایدار(unstable)

اسلاید ۵ :

انواع مواد نیمه هادی

.۱نوعp     (دهنده الکترون ) As

.۲نوعn    ) گیرنده الکترون) Ga

در مواد نیمه هادی بر خلاف فلزات طیف انرژی از نوارهای خیلی پهن تشکیل شده است.

احتمال اشغال حالت انرژی مورد نظر با f(E)

اسلاید ۶ :

نیمه هادی ذاتی و غیر ذاتی

در نیمه هادی ذاتی تعداد الکترون و حفره برابر است.

در نیمه هادی غیر ذاتی تعداد الکترون و حفره برابرنیست.

اسلاید ۷ :

انواع باز ترکیب و گاف نوار انرژی

.۱باز ترکیب تابشی: نتیجه آن تولید فوتون است.

.۲باز ترکیب غیر تابشی: نتیجه آن اتلاف انرژی بصورت گرما(فونون) است.

گاف مستقیم GaAs   در این مواد تولید فوتون داریم.

گاف غیر مستقیم Ge,Si   در این مواد تولید فونون داریم.

اسلاید ۸ :

آلیاژهای نیمه هادی و رابطه آن با ضریب شکست

ترکیبات مواد نیمه هادی مختلف آلیاژهای گوناگون با گاف مستقیم و غیر مستقیم می دهند.

اسلاید ۹ :

انواع ساختارهای لیزر نیمه هادی

روشهای گسیل نور در ساختارها

گسیلنده های سطحی

گسیلنده های کناری

اساس کار همه ساختارها, خواص موجبری میباشد

اسلاید ۱۰ :

ساختارتخت بلند(FP )

در ساختار تخت یکنواخت به دلیل یکنواختی محیط اطراف لایه فعال اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده اتفاق نمی افتد؛ بنابراین چگالی جریان آستانه بالایی دارند.

در ساختار چندگانه اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده رخ میدهد.(به دلیل وجود لایه های مختلف ضرایب شکست متفاوت است.)