فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر شرایط خلأ و گازشار بر فرآیند سلنیوم‌دار کردن ترکیب CIG و تغییرات ساختاری آن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر شرایط خلأ و گازشار بر فرآیند سلنیوم‌دار کردن ترکیب CIG و تغییرات ساختاری آن دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر شرایط خلأ و گازشار بر فرآیند سلنیوم‌دار کردن ترکیب CIG و تغییرات ساختاری آن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر شرایط خلأ و گازشار بر فرآیند سلنیوم‌دار کردن ترکیب CIG و تغییرات ساختاری آن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر شرایط خلأ و گازشار بر فرآیند سلنیوم‌دار کردن ترکیب CIG و تغییرات ساختاری آن :

مقدمه

CuInGaSe2 (یا به اختصار (CIGS ترکیبی است کهاخیـراً بطـور گسترده در سلولهای خورشیدی با بازده بالا و قیمت پـائین مـورد توجه قرار گرفتـه اسـت. امـروزه پیشـرفتهـای زیـادی در نحـوه ساخت و تولید سـلولهـای خورشـیدی صـورت گرفتـه اسـت و پژوهشگران موفق به ساخت سـلولهـایی بـا بـازدهی بـیش از ۲۰

درصد در مقیاس آزمایشگاهی [۱] و بیش از ۱۳ درصد در مقیـاس صنعتی شدهاند .[۲] این ترکیب در ساخت سلول خورشـیدی لایـه نازک استفاده می شود و به عنوان قطب P سلول عمل کرده و نقـش اصلی را در جذب نـور خورشـید دارد. قطـب n سـلول را لایـهی کادمیم سولفید به همراهتشکیلاکسید روی می دهد.

۹

با توجه به ضرورت تعریف الکترود جلوییاز و پشتی، در این نوع سلولها، ZnO:Al به عنـوان الکتـرود جلـویی و از مولیبـدن بـه عنوان الکترود پشتی۱ یا آند استفاده می شود. یکی از مواردی که بـه منظور بهینهسازی بازده سلول بایـد رعایـت شـود، نسـبت عناصـر موجــود در ترکیــب مــذکور مــیباشــد. از جملــه، نســبتهــای
Cu/(In+Ga) و Se/(Cu+In+Ga) که به ترتیب باید بین ۰/۷ تـا نزدیکی ۱ و حدود ۱ انتخـاب شـوند .[۳] بنـابراین کنتـرل مقـدار عناصر موجود در ترکیب یکی از پارامترهای مهم در فرایند ساخت است.

در این مقاله اثر خلاء و شار گازنیتروژن بر فرایند سلنیومدار کـردن لایه CIG بـه منظـور دسـتیابی بـه ترکیـب نیمرسـانای CIGS بـا رسانش نوع p بررسی شده است. بدین منظور شرایط بـه گونـهای مهیا شد تا علاوه بر حذف ناخالصی از نمونه و جلوگیری از اکسید شدنرسانشآن، نوعترکیب p CIGS به همراه داشته باشد.

بخش تجربی

پس از تهیه زیرلایههایی از جـنس شیشـه (Soda lime glass) بـا ضخامت یک میلیمتر و ابعاد ۱/۲ × ۲/۶ سانتیمتر، ابتدا لایـهای بـه ضخامت ۵۰۰nm از جنس مولیبـدن، بـه روش بـیم الکترونـیدر۲ فشار ۵×۱۰-۶ میلیبار بر روی زیرلایه نشانده شد. سپس لایـه هـای ایندیم و مس-گالیم به روش کندوپاش۳ در خلاء لایهنشانی شـدند و در نهایـت چندلایـه CIG سـلنیومدار شـد. در ایـن کـار، بـرای سلنیومدار کردن چند لایه CIG از یـک کـوره اسـتوانهای اسـتفاده شده است و اثر شرایط محیطی بر فراینـد سـلنیومدار کـردن مـورد بررسی قرار گرفته اسـت. جهـت انجـام فراینـد سـلنیومدار کـردن شرایط زیر مهیا شد:

الف) برای نشاندن سلنیوم، محفظه استوانهای استیل با قطـر چهـار سانتیمتر و طول ۷۰ سانتیمتر درون کوره قرار گرفت و محفظـه بـه پمپ مکانیکی وصل شد تا لایه نشانی در شرایط خلاء انجام شود. ابتدا فشار درون لوله اسـتیل تـا ۸×۱۰- ۳ mbar پـایین آورده شـد،

شارسپسنیتروژن۲۰ SCCM4 از گاز داخل لوله هدایت شد کـه این امر موجب افزایش فشار درون لولـه تـا مقـدار ۲×۱۰- ۲ mbar گردید. فرستادن شار گاز نیتروژن موجـب خـروج مقـدار اکسـیژن باقیمانده درون محفظه لوله شده و با هدایت بخار سلنیم به سـمت چند لایه CIG مانع از انتشار آن در تمام طول لوله میگردد.

ب) تعویض لوله استیل با لولـه کـوارتز و لایـه نشـانی سـلنیوم در حضور گاز نیتروژن بـا شـارهای ۵۰ SCCMو ۱۰۰ SCCMدر، حالیکه محفظه درون لوله خلاء نشده بود.

ج) لوله کوارتز درون کوره قرار گرفت و سپس به پمـپ مکـانیکی وصل شد تا لایه نشانی در شرایط خـلاء انجـام شـود. ابتـدا فشـار درون لوله تا ۸×۱۰- ۳ mbar کاهش یافت، سپس به منظـور حـذف مقدار ناچیز اکسیژن موجود در محفظه لوله، شـار گـاز نیتـروژن از درون آن عبور داده شد. بـه منظـور بررسـی اثـر میـزان شـار گـاز نیتروژن بر فراینـد سـلنیومدار کـردن، گـاز نیتـروژن بـا شـارهای SCCMداخل ۲۰لولهو ۷ SCCM به هـدایت شـد. فشـار درون لوله بعد از ورود گاز با شـار ۲۰SCCM بـه ۸×۱۰- ۲ mbar و بـا شار SCCMبه ۲×۱۰-۲ mbar 7 رسید. در هر سه حالت، فرآینـد سلنیومدار کردن مطابق نمودار دما- زمان شکل (۱) انجـام گرفـت. آنالیز عناصر موجود در نمونه ها بـه وسـیله دسـتگاه طیـف سـنجی پراش انرژی پرتو ایکسEDAX 5 انجام شد و مقدار شـار ورودی به لولهها با دستگاه شارسنج جرمی۶ کنترل شد.

۱ Back Contact Standard Cubic Centimeter per Minute (SCCM)
۲ Electron gun Energy Dispersive X-ray analysis (EDAX)
۳ Sputtering Mass flow meter

۴

۵

۶

۰۱

۶۰۰
۵۰۰
۴۰۰ c)
o
)
۳۰۰ Temperature

۲۰۰
۱۰۰

۰

۱۵۰ ۱۳۵ ۱۲۰ ۱۰۵ ۹۰ ۷۵ ۶۰ ۴۵ ۳۰ ۱۵ ۰

Time (min)

شکل : (۱ ) نمودار دما- زمان در لایهنشانی سلنیوم