فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن دارای ۲۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن :

فایل ورد کامل ترجمه مقاله ساختار سرامیک همراه با متن لاتین و بررسی ویژگی‌های علمی آن

ساختار Biepitaxid، پیوند josephson و SQUIDs : ساختار و ویژگی‌های اتصال یا پیوند josephson و SQUIDs، yBCo/CeO2/Mgo Biepitaxid را بررسی و گزارش کردیم، در اینجا CeO2 به عنوان یک لایه استفاده شده تا یک محدوده یا مرز Biepitaxid برای بلور یا ذره ایجاد کند. سطوح تابکاری نشده لایه CeO2 و سطح تابکاری شده آن توسط میکروسکوپ اتر یا (AFM) بررسی شدند. دمای مقاومت لایه نازک yBCo/CeO2/Mgo نشان می‌دهد که فرآیند تابکاری برای لایه CeO2 به منظور ایجاد لایه فیلم YBCo با کیفیت خوب ضروری است. منحنی ولتاژ جریان اتصال یا پیوند josephson عملکرد مربوط به مقاومت اتصال (RSJ) را نشان می‌دهد. بعلاوه هر دو مرحله عددی یا انتگرال و یا نیمه انتگرال Shapiro در میدان مغناطیسی بکاربرده شده صفر مشاهده شد نوسان ولتاژ مغناطیسی مدولی شده نیز برای SQUIDs دیده می‌شود.

۱- مقدمه: بدلیل توسعه و پیشرفت مدارهای مجتمع ابررسانا، High-T، اتصالات ابررسانای josephson به شکل گسترده‌ای مورد بررسی و آزمایش واقع شدند. به منظور بدست آوردن اتصالات josephson قابل کنترل و قابل دستیابی به انواع مختلف اتصالات مانند محدوده دارای لبه پله‌ای، SNS یا اساس و پایه bicrystaf استفاده شد. بهرحال این نوع مرزها معمولاً طی زمان ساخت با فرآیندهای بسیار زیادی درگیر هستند. برای ساده‌تر کردن فرآیند ساخت، اتصالات josephson محدوده دانه Biepitaxid مورد بررسی واقع شد. در این کار، CeCo2 انتخاب شد تا یک لایه برای محدوده ذره Biepitaxid باشد و روش ساده و شیمیایی حکاکی بجای فرزکاری آهن استفاده شد تا باعث جدا شدن نیمی از لایه CeCo2 از پایه Mgo شود.

SQUIDs و اتصالات josephson Biepitaxid را ساختیم. بعضی از ویژگی‌های جریان ولتاژ برای اتصالات josephson و SQUIDs مورد بررسی واقع شد. همچنین نوسان ولتاژ تقسیم شده در میدان مغناطیسی برای SQUIDs نیز بررسی شد.

۲- شرح تجربی و آزمایشی: یک سیستم آبکاری فلز مغناطیسی rf خارج از محور برای جدا کردن تمام لایه‌ها در این مبحث استفاده شده است. CeCo2 در دمای ^OC۷۵۰ برروی سطح Mgo که با یک لایه (yBCo)800 A-thick پوشیده شده، آبکاری شد. سپس لایه yBCo / CeCo2 با استفاده از اسید هیدروکلریک جدا شد. بعد از آن، این پایه و اساس در دمای ^OC۱۱۰۰ به مدت ۱۰ ساعت تابکاری شد. برای بررسی تغییرات سطح CeCo2، ساختار سطحی لایه‌های CeCo2 تابکاری شده و تابکاری نشده با میکروسکوپ‌های (AFM) بررسی شدند و سپس یک لایه (yBCo)2000 A-thick برروی سطح تابکاری شده قرار داده شد، رسوب‌گذاری شده بعلاوه لایه نازک yBCo با یک محدوده یا مرز Biepitaxid توسط فتولیتوگرافی در یک اتصال josephson با ۵pm پهنا یا SQUIDs با یک ناحیه سوراخ ۴۰*۲۰ و پهنای اتصال بصورت طرح و نقش قرار داده شد. برای بررسی واکنش‌های میکرو ویوی اتصال، یک میکرو ویو با استفاده از آنتن دیود به این اتصال تابانده شد. برای بررسی نوسان بخش بخش میدان مغناطیسی، SQUID برروی یک سولئوئید که دارای میدان مغناطیسی موازی با سطح SQUID بود نصف شد. یک روش معمولی چهارمرحله‌ای برای اندازه‌گیری و بخش الکتریکی استفاده شد. معیار برای جریان اصلی در این مبحث بود.

شکل ۵: منحنی‌های v-1 برای اتصالjosephson و SQUIDدر k5 و میدان مغناطیسی صفر.

به جریان اصلی می‌باشد. به نظر می‌رسد این گرد و مدور بودن بدلیل نوسان گرمایی است [۴]. مطابق با ویژگی های منحنی‌های v-1، جریان اصلی I حدوداً و است و مقاومت‌هی حالت نرمال یا Rn برای اتصال و SQUID حدوداً و است. عکس‌العمل‌های میکرو ویو منحنی‌های v-1 برای اتصال josephson و در میدان مغناطیسی صفر و K5 مراحل عددی josephson نشان می‌دهد. بهرحال بعضی از این اتصالات مراحل Shapiro عددی و نیمه‌عددی را نشان می‌دهند که در شکل ۶ نمایش داده شده است. فرکانس این میکرو ویو ۵/۷ گیگاهرتز است و ولتاژ ثابت برای اولین مرحله است. شکل ظاهری مراحل نیمه عددی Shapiroنیز توسط گروه‌های دیکر مشاهده شده و می‌توان آنرا به صورت گروه یک بعدی اتصال josephson {8، ۷، ۱} شرح و توضیح داد. منحنی‌های () نوسان ولتاژ بخش بخش شده میدان مغناطیسی برای SQUID در k20 و در جریان متفاوت I در شکل ۷ نشان داده شده است. مشاهده شده که ماکزیمم نوسان ولتاژ در اوج وقتی جریان mA 23/0 باشد است. دوره نوسان برای میدان مغناطیسی H حدوداً
mG 64/8 است. بدین دلیل دوره جریان مغناطیسی، بی‌ثبات و متغیر است. میدان مؤثر برای SQUID حدوداً است. و عامل متمرکز کننده جریان ۹۹/۲ است.