فایل کامل پژوهش علمی درباره افزاره‌های غیر فعال؛ تحلیل ساختار، عملکرد و نقش در مدارهای الکترونیکی

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 فایل کامل پژوهش علمی درباره افزاره‌های غیر فعال؛ تحلیل ساختار، عملکرد و نقش در مدارهای الکترونیکی دارای ۷۲ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در Power Point می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل پاور پوینت فایل کامل پژوهش علمی درباره افزاره‌های غیر فعال؛ تحلیل ساختار، عملکرد و نقش در مدارهای الکترونیکی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز فایل کامل پژوهش علمی درباره افزاره‌های غیر فعال؛ تحلیل ساختار، عملکرد و نقش در مدارهای الکترونیکی۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل کامل پژوهش علمی درباره افزاره‌های غیر فعال؛ تحلیل ساختار، عملکرد و نقش در مدارهای الکترونیکی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل کامل پژوهش علمی درباره افزاره‌های غیر فعال؛ تحلیل ساختار، عملکرد و نقش در مدارهای الکترونیکی :

نوع فایل: پاورپوینت (قابل ویرایش)

قسمتی از متن پاورپوینت :

تعداد اسلاید : ۷۲ صفحه

افزاره های غیر فعال

نمای کلی فصل ۷: فصل ۷: افزاره های غیر فعال ساختار های سلف
سلف های متقارن
اثر لایه محافظ زمین شده
سلف های حلقوی پشته ای سلف ها
ساختار پایه
معادلات اندوکتانسی
خازن های پارازیتی
مکانیسم تلفات
مدل سازی سلف خازن های متغیر
پیوند های PN
خازن های متغیر MOS
مدل سازی خازن متغیر ترانسفورماتور ها
ساختار ها
اثر خازن تزویج
مدل سازی ترانسفورماتورها دلیل ساخت سلف به صورت مجتمع : فصل ۷:افزاره های غیرفعال در صورت استفاده از سلف خارج از تراشه :
تزویج بین سیمک های اتصال با دنیای بیرون از تراشه

ایجاد المان های پارازیتی که در فرکانس های بالا مهم خواهند شد نیاز به تعداد زیادی سلف در مدارات RF
ساختار پایه CH 7 Passive Devices
۴
وجود تزویج متقابل بین هر دو دور باعث میشود که سلف های حلقوی اندوکتانس بیشتری نسبت به خطوط مستقین با همان طول داشته باشند.

برای حداقل کردن مقاومت های سری و خازن های پارازیتی سلف های حلقوی در بالا ترین لایه فلزی ساخته میشوند ( که ضخیم ترین لایه ها هستند ). اندوکتانس سلف حلقوی با N دور : CH 7 Passive Devices
۵ اندوکتانس یک سلف حلقوی با N دور دارای جمله خواهد بود .

دو عامل نرخ رشد بر حسب تابعی از N را محدود میکند :

حلقه های درونی کوچکترند و در نتیجه دارای اندوکتانس کمتری هستند .

ضریب تزویج متقابل برای دورهای مجاور تنها حدود ۷. است و برای دور های غیر مجاور کاهش می یابد .

تاثیر هندسه سلف بر اندوکتانس CH 7 Passive Devices
۶ یک سلف حلقوی مربعی دو بعدی توسط ۴ کمیت مشخص می گردد:

ابعاد بیرونی ِDout
تعداد دور ها N
پهنای خط W
فاصله خطوط S

CH 7 Passive Devices
۷ این کار باعث کاهش قطر دور های داخلی میشود که موجب کاهش اندوکتانس خواهد شد .
افزایش بیشتر W ممکن است که باعث کاهش دورها شود و اندوکتانس را کم کند .

تاثیر دو برابر کردن پهنای خط بر اندوکتانس CH 7 Passive Devices
۸ بهتر است قطری ۵تا ۶ برابر W برای حفره داخلی انتخاب شود .

هدف: کمینه کردن ضریب تزویج مغناطیسی بین اضلاع روبروی داخلی ترین دور. نمودار ضریب تزویج مغناطیسی بین دو خط مستقیم ساختار های مختلف سلف CH 7 Passive Devices
۹

۸ ضلعی متقارن پشته ای با لایه محافظ زمین شده حلقه های موازی دایره ای تنوع این ساختار ها نشان دهنده تلاش های بسیار زیاد طراحان برای بهبود تقابل های موجود در طراحی سلف هاست (برای مثال تقابل بین ضریب کیفیت و مقدار خازن یا بین اندوکتانس و ابعاد )

CH 7 Passive Devices
۱۰

معدلات اندوکتانس معادلاتی که با اساس برازش منحنی یا بر اساس ویژگی فیزیکی سلف ها هشتند
این فرمول برای سلف های ۵nH تا ۵۰nH کمتر از ۱۰% خطا دارد .

:Am مساحت فلز,
:Atot مساحت کل سلف
CH 7 Passive Devices
۱۱

خازن های پارازیتی سلف های مجتمع سلف های حلقوی دارای مشکل خازن های پارازیتی هستند :
خازن های صفحه موازی و خازن های لبه به بستر
خازن های لبه های مجاور

خازن های صفحه پاینی خازن های میان دوری CH 7 Passive Devices
۱۲

تقریب خازن های پارازیتی

مدل خازن توزیع شده به زمین برای سادگی محاسبات دو فرض داریم:
هر دو بخش سلف دارای تزویج متقابل M هستند
تزویج به اندازه کافی قوی است که M را تقریبا با Lu uبرابر فرض کرد . ولتاژ بر روی هر بخش از سلف CH 7 Passive Devices
۱۳

تقریب خازن های پارازیتی

خازن معادل فشرده سلف= Ctot /3
اگر M = Lu انرژی الکتریکی ذخیره شده در خازن گره

توجه: متن بالا فقط قسمت کوچکی از محتوای فایل پاورپوینت بوده و بدون ظاهر گرافیکی می باشد و پس از دانلود، فایل کامل آنرا با تمامی اسلایدهای آن دریافت می کنید.