فایل ورد کامل مقاله حافظه‌های فلش؛ تحلیل علمی ساختار، فناوری تولید و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله حافظه‌های فلش؛ تحلیل علمی ساختار، فناوری تولید و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده دارای ۲۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله حافظه‌های فلش؛ تحلیل علمی ساختار، فناوری تولید و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله حافظه‌های فلش؛ تحلیل علمی ساختار، فناوری تولید و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله حافظه‌های فلش؛ تحلیل علمی ساختار، فناوری تولید و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده :

حافظه های فلش

حافظه (DOM( DiskOnModole
ماجول حافظه بر روی IDE در مدل های ۴۰ و ۴۴ پین با قاب و یا بدون قاب در ظرفیت های مختلف تا ۵۱۲ مگابایت.

حافظه EmbedDisk —جدید!!!
ماجولهای حافظه EmbedDisk بر روی IDE و SATA در ظرفیتهای مختلف تا ۲ گیگا بایت و با سرعت بالا

ماجول حافظه بر روی چیپ (DOC) محصول M-Systems
حافظه های فلش DOC با ظرفیت های متفاوت از ۸ مگابایت تا ۲۵۶ مگابایت
انواع ROM

تولید تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و بدین ترتیب به یک سطر Grounded که نماینگر مقدار “یک” است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، یک تراشه PROM دارای مقدار اولیه ” یک” است . بمنظور تغییر مقدار یک سلول به صفر، از یک Programmer برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) خواهد کرد. فرآیند فوق را ” Burning the PROM ” می گویند. حافظه های PROM صرفا” یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و یک جریان حاصل از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فیوز در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) حافظه ای PROM دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ROM ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.

حافظه EPROM
استفاده کاربردی از حافظه های ROM و PROM با توجه به نیاز به اعمال تغییرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغییرات و اصلاحات در این نوع حافظه ها می تواند به صرف هزینه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نیاز های مطرح شده است ( نیاز به اعمال تغییرات ) تراشه های EPROM را می توان چندین مرتبه باز نویسی کرد. پاک نمودن محتویات یک تراشه EPROM مستلزم استفاده از دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن یک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پیکربندی این نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از یک Programmer از نوع EPROM است که یک ولتاژ را در یک سطح خاص ارائه نمایند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) این نوع حافظه ها ، نیز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در یک EPROM سلول موجود در نقطه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزیستور است

.ترانزیستورهای فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating Gate و دیگری Control Gate نامیده می شود. Floating gate صرفا” از طریق Control gate به سطر مرتبط است. مادامیکه لینک برقرارباشد سلول دارای مقدار یک خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار فوق به صفر به فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نیاز خواهد بود .Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون های Floating gate استفاده می گردد.یک شارژ الکتریکی بین ۱۰ تا ۱۳ ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخلیه خواهد گردید. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک “پخش کننده الکترون ” رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاده و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از ۵۰ درصد شارژ باشد در اینصورت مقدار “یک” را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از ۵۰ درصد آستانه عدول نموده مقدار به “صفر” تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است.

بمنظور باز نویسی یک EPROM می بایست در ابتدا محتویات آن پاک گردد. برای پاک نمودن می بایست یک سطح از انرژی زیاد را بمنظور شکستن الکترون های منفی Floating gate استفاده کرد.در یک EPROM استاندارد ،عملیات فوق از طریق اشعه ماوراء بنفش با فرکانس ۲۵۳/۷ انجام می گردد.فرآیند حذف در EPROM انتخابی نبوده و تمام محتویات آن حذف خواهد شد. برای حذف یک EPROM می بایست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقیقه زیر اشعه ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده EPROM قرار داد.

حافظه های EEPROM و Flash Memory
با اینکه حافظه ای EPROM یک موفقیت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی کماکان نیازمند بکارگیری تجهیزات خاص و دنبال نمودن فرآیندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به یک شارژ نیاز باشد. در ضمن، فرآیند اعمال تغییرات در یک حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نیاز و بصورت تصاعدی صورت پذیرد و در ابتدا می بایست تمام محتویات را پاک نمود.حافظه های Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)EEOPROM) پاسخی مناسب به نیازهای موجود است . در حافظه های EEPROM تسهیلات زیر ارائه می گردد:

برای بازنویسی تراشه نیاز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.
برای تغییر بخشی از تراشه نیاز به پاک نمودن تمام محتویات نخواهد بود.
اعمال تغییرات در این نوع تراشه ها مستلزم بکارگیری یک دستگاه اختصاصی نخواهد بود.

در عوض استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الکترون های هر سلول را با استفاده از یک برنامه محلی و بکمک یک میدان الکتریکی به وضعیت طبیعی برگرداند. عملیات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا” آنها را بازنویسی نمود.تراشه های فوق در هر لحظه یک بایت را تغییر خواهند داد.فرآیند اعمال تغییرات در تراشه های فوق کند بوده و در مواردی که می بایست اطلاعات با سرعت تغییر یابند ، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.

تولیدکنندگان با ارائه Flash Memory که یک نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدودیت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند.در حافظه Flash از مدارات از قبل پیش بینی شده در زمان طراحی ، بمنظور حذف استفاده می گردد ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی). در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که ” بلاک ” نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا” ۵۱۲ بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند. شکل زیر حافظه BIOS را که نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است ، نشان می دهد.

EPROM سر نام عبارت (Erasable Programmable Read Only Memory ) است که به آن حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی نیز گفته میشود. EPROM ها تراشه های حافظه غیر فرار ( پایدار ) هستند که پس از ساخت برنامه ریزی میشوند. تفاوت این نوع حافظه با حافظه PROM ، قابلیت پاک شدن برنامه های درون آن میباشد. در این تراشه ها اشعه ماوراء بنفش قوی میتواند اتصالهای قطع شده تراشه را دوباره برقرار کند. اگر چه قیمت EPROM ها بسیار بیشتر از DROM ها است اما اگر تغییرات زیادی در برنامه ریزی اعمال گردد، EPROM مقرون بصرفه خواهد بود.

یا حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی
زمانیکه کامپیوتر را روشن می کنید مثل تلویزیون یا رادیو، فورا روشن نمی شود بلکه چند دقیقه برای مرحله Boot شدن طول می کشد. MRAM یا حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی، توانائی ذخیره اطلاعات بیشتر را دارا می باشد، به اطلاعات سریعتر دستیابی دارد و از برق کمی نیز استفاده می نماید. چنین حافظه ای برای ذخیره بیتهای اطلاعات به جای نیروی برق از خاصیت مغناطیسی استفاده می کند. در تراشه MRAM ، برای ذخیره بیتهای اطلاعات، نیاز به مقدار کمی الکتریسیته است. چنین مقدار کمی از الکتریسیته، پلاریته هر سل حافظه را در تراشه تغییر می دهد. زمانیکه خطوط کلمات و بیتها در یک تراشه همدیگر را قطع می نمایند، سل حافظه ایجاد می گردد. هر کدام از این سلها بخشی از اطلاعات را که به شکل ۱ یا ۰ است را ذخیره می نمایند. حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی مثل حافظه فلش جزء حافظه های غیرفرار است یعنی تراشه، حالت جامد دارد و بخشهای متحرک در آن وجود ندارد.

شرکت سازنده تراشه اعلام کرد که flash memory

شرکت AMDسازنده تراشه اعلام کرد که Flash memory کم مصرف آن هم اکنون آماده استفاده برای کارخانجات میباشد. با ولتاژمصرفی ۱۸ ولت این چیپ انرژی کمتری را نسبت به چیپ های استاندارد ۳ ولتی AMD مصرف میکند. شرکت AMD قبلا هم Flash memory های با ولتاژ مصرفی ۱۸ را به فروش رسانده بود اما این شرکت اعلام کرده که نوع جدید که نام Am29BDS640G را به خود گرفته است تا ۹۵ درصد انرژی اتلافی آن نسبت به محصولات مشابه کمتر است.این چیپ در ابتدا به صورت ۶۴ مگابیت آماده میباشدFlash Memory ها برای نگهداری اطلاعات در تلفنهای سلولی وPDA ها و تجهیزات شبکه بکار میروند.این نوع از حافظه به خاطر اینکه میتوانند اطلاعات را به هنگام قطع برق هم در خود نگهداری کند به طور خاص برای تلفنهای سلولی و PDA ها مفید میباشد.

با توجه با اینکه نسل بعدی تلفنها از حافظه های بزرگتر و سریعتر استفاده میکنند و پردازنده آنها هم به نوبه خود به انرژی بیشتری نیاز دارد , لذا استفاده از تجهیزاتی مانند Flash Memory ها به سازنده این امکان را میدهد که عمر بیشتری را برای باطری فراهم کنند و تلفنهایی در اندازه های کوچکتر تولید کنند. در صورت استفاده نکردن از چنین تجهیزاتی آنها مجبور خواهند بودکه برای استفاده از باطریهای بزرگتر تلفنهای بزرگتر بسازند ویا اینکه تلفنهای کوچکتر با عمر باطری کمتری داشته باشند. ساختن Flash Memory های با انواع متعدد و کارایی جدید همواره برای AMD مهم بوده استاین شرکت اکثردر آمدش از راه فروش تجهیزاتی مانند Flash Memory ها و پردازنده های سیستم مانند Athlon XP میباشد.با وجود اینکه شرکت AMD در چند فصل اخیر تعداد بسیار زیادی چیپ و پردازنده را به فروش رسانده است اما بازار فروش Flash Memory آن هم اکنون شاهد افت میباشد.
با وجود اینکه فروش پردازنده های شرکت AMD در فصل اول به رکورد بالایی دست یافت اما درآمد حاصل از فروش Flash Memory ها به ۱۶۰ میلیون دلار رسید د

ر حالی که در همان فصل در سال قبل این در آمد برابر ۴۱۱ میلیون دلار بوده است. اما AMD در فصل دوم شاهد جهت گیری معکوس بود:فروش پردازنده ها افت کرده ولی فروش Flash Memory ها افزایش اما AMD میتواند در درآمد این فصل خود شاهد رشد باشد و این در صورتی خواهد بود که فروش قطعاتی (مانند چیپ های با مصرف برق کمتر) رشد کنند. AMDبه تازگی Mirror Bit flash memory را معرفی کرده است که این امر میتواند کمکی به این شرکت برای فروش بیشتر باشد.

از آنجایی که چیپ Am29BDS640G موجب مصرف برق کمتر میشود Mirror Bit هم موجب افزایش ظرفیت ذخیره سازی میشود. هر دو چیپ احتمالا در انواع مختلفی از تلفنها استفاده میشوند. AMD همچنین این نوع Flash memory را در بسته بندی چند چیپه هم خواهد فروخت .این امر به سازنده این امکان را میدهد که در هر بار بیش از یک فلش چیپ را به فروش برساند و علاوه بر آن حافظه را به ۱۲۸ مگابیت افزایش دهد. این بسته بندی همچنین میتواند فلش چیپ را با انواع دیگری از چیپ حافظه جفت کند(مانند چیپ های static RAM ).

حافظه های flash
اوایل فوریه سال ۲۰۰۳ یعنی حدود ۴ماه پیش ، خبری جالب در رسانه های خبری رایانه ای پخش شد: شرکت Dell که بزرگترین سازنده و تولید کننده رایانه شخصی در دنیاست ، قصد دارد فلاپی درایو را از فهرست ملزومات رایانه هایش حذف کند و آن را به صورت optional و اختیاری ارائه کند. این خبر در نگاه اول عجیب به نظر می رسد ، اما از آن جا که همگی ما با فلاپی دیسک کار کرده ایم ، با کمی تفکر دلیل چنین تصمیمی را در می یابیم

مدتهاست دیگر حجم ۴/۱ مگابایتی فلاپی دیسک ها کارآیی خوبی برای انتقال فایلهای حجیم کاربران ندارد. در واقع ، حجم اطلاعات و فایلهای کاربران به قدری بالا رفته است که نه تنها یک فلاپی دیسک که یک بسته ۱۰تایی فلاپی دیسک هم دیگر به درد کاربر نمی خورد و اگر هم به درد بخورد، حمل و نقل داده ها را بسیار مشکل می کند. پس همگی قبول داریم عمر فلاپی دیسک سرآمده است ، اما سوالی که یقینا ذهن خواننده را پس از خواندن این خبر به خود مشغول می کند، جایگزین پیشنهادی Dell به جای فلاپی دیسک است .

همه می خواهند بدانند چه وسیله ای جایگزین فلاپی دیسک می شود و به عنوان حافظه قابل حمل و نقل به کار گرفته می شود. در نظر اول ، بیشتر افراد متوجه سی دی و cdwriter می شوند و آن را کاندیدا می کنند، اما چندی است محصول دیگری نیز مطرح شده است که مشخصات مناسبی دارد و می تواند جایگزین خوبی برای فلاپی دیسک باشد و آن چیزی نیست جز. pen drive لابد می پرسید pen Drive چیست؟ pen Drive یک حافظه با شکل و قیافه یک خودکار یا ماژیک و در اندازه شست دست شماست . این حافظه که حجمی بین ۱۶مگابایت تا ۵۱۲مگابایت دارد، از طریق پورت USB به رایانه شما متصل می شود و پس از اتصال به عنوان یک درایو جدید در محیط سیستم عامل شما قابل استفاده است . اگر از سیستم عاملهای ویندوز xp.2000, ME لینوکس یا Mac os 9.0استفاده می کنید، کافی است pen Drive را به پورت USB رایانه خود متصل کنید، تا در همان لحظه توسط رایانه شناسایی شود و شما امکان استفاده از آن را بیابید، اما در صورتی که از ویندوز ۹۸ SE استفاده می کنید، نیاز به درایور pen Drive نیز خواهید داشت . پس از شناخته شدن این حافظه کوچک به عنوان یک درایو جدید، شما امکان خواندن ، نوشتن و پاک کردن اطلاعات را روی این حافظه خواهید داشت . روی pen Driveیک LED وجود دارد که همان نقش LED درایو فلاپی را دارد. یعنی هنگامی که روشن و در حال چشمک زدن است ، به شما خاطرنشان می کند pen Drive در حال تبادل داده با رایانه است .

اگر در چنین زمانی pen Drive را از پورت USB جدا کنید مقداری از اطلاعات را از دست خواهید داد. pen Drive را هم می توان همانند فلاپی دیسک write protect کرد و سوئیچی مخصوص این کار دارد. پس می توانید زمانی که می خواهید از نوشتن روی آن و یا پاک کردن اطلاعات از روی آن جلوگیری کنید، سوئیچ مذکور را به کار گیرید. ضمنا استفاده از این سوئیچ برای جلوگیری از ویروسی شدن pen Drive توصیه می شود. از آنجا که pen Drive از حافظه نوع flash استفاده می کند، از نظر تئوری اطلاعات ذخیره شده روی آن تا ۱۰سال قابل دستیابی هستند. حافظه flash یا flash memory حافظه ای غیر فرار است که در آن هر سلول قابل برنامه ریزی است و تعداد زیادی از سلولها که به آنها بلوک ، سکتور یا صفحه (page) گفته می شود، قابل پاک شدن در یک لحظه هستند. حافظه های flash برای نگهداری اطلاعات نیازی به باتری ندارند و لذا حجم ، وزن و مصرف برق وسایل را پایین می آورند. اطلاعات درون حافظه flash قابل تغییر هستند و می توان ذخیره سازهای حجیمی را از این نوع حافظه ساخت

حافظه flash در مقایسه با هارد دیسک و فلاپی دیسک سرعت دسترسی بالاتری به اطلاعات دارد و از طرف دیگر در مقابل شوک ، مقاومت بیشتری از خود نشان می دهد. سرعت انتقال اطلاعات در pen Drive حدود ۱۲مگابیت در ثانیه است که سرعتی خوب برای یک وسیله ذخیره ساز به حساب می آید. pen Drive را می توان همانند یک هارد دیسک معمولی روی شبکه به اشتراک گذارد ، حتی در صورتی که رایانه شما امکان بوت شدن و بالا آمدن از روی وسایل متصل شده از طریق پورت USB را داشته باشد ، شما می توانید pen Drive خود را فورمت و Bootable کنید تا از این نظر هم pen Drive از فلاپی دیسک های قدیمی کم نیاورد.

با آن که هنوز استفاده از این نوع حافظه چندان رایج و فراگیر نشده است ،اما قیمت آن در حال حاضر نیز نسبتا مناسب است . شرکت Dell درصدد است نمونه ۱۶مگابایتی آن را که حدود ۲۰دلار قیمت دارد، به عنوان جایگزین فلاپی دیسک روی رایانه هایش بگذارد. خوب است بدانید انواع دیگری از این نوع حافظه با شکل و قیافه ظاهری متفاوت نیز به بازار آمده اند که به آنها Thumb memory یا حافظه شستی و cool drive و; نیز گفته می شود که همگی از همان نوع حافظه flashاستفاده می کنند و لذا نام flash memory را نیز یدک می کشند و از طرف دیگر وسیله ارتباطی تمامی آنها با رایانه همان پورت USB است . اگر تا به حال به فکر خرید یکی از این حافظه ها برای خود افتاده اید، بد نیست بدانید از چندی پیش نمونه های مختلف آن در بازار رایانه ایران نیز با قیمتی مناسب یافت می شوند. پس اگر از فلاپی دیسک های خود خسته شده اید و cdwriter شما مرتب سی دی می سوزاند و شما را کلافه می کند بد نیست سری به بازار بزنید و با خرید یک pen Drive ، انتقال اطلاعات را، آن هم در قالب خودکاری در جیب ، امتحان کنید.

حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ; استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد : • تراشهBIOS موجود در کامپیوتر
• CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
• SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد
• Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
• کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
• کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش
حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا” به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود ۱۰ تا ۱۳ ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .

شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک “پخش کننده الکترون ” رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از ۵۰ درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یک را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از ۵۰ درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده می گردد. در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که ” بلاک ” نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا” ۵۱۲ بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند.

کارت های حافظه فلش

تراشه BIOS در کامپیوتر، متداولترین نوع حافظه فلش است . کارت های SmartMedia و ComapctFlash نیز نمونه های دیگری از حافظه های فلش بوده که اخیرا” متداول شده اند. از کارت های فوق بعنوان “فیلم های الکترونیکی” در دوربین های دیجیتال، استفاده می گردد .کارتهای حافظه برای بازیهای کامپیوتری نظیر Sega و PlayStation نمونه های دیگری از حافظه های فلش می باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد دارای مزایای زیر است :
• حافظه های فلش نویز پذیر نمی باشند.
• سرعت دستیابی به حافظه های فلش بالا است .
• حافظه های فلش دارای اندازه کوچک هستند.
• حافظه فلش دارای عناصر قابل حرکت ( نظیر هارد ) نمی باشند.
قیمت حافظه های فلش نسبت به هارد بیشتر است .
منبع :www.srco.ir

۱ حافظه های الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ; استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد :
تراشه BIOS موجود در کامپیوتر

CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد
Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی

مبانی حافظه فلش
حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد. دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند. یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا” به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. یک شارژ الکتریکی حدود ۱۰ تا ۱۳ ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد

که ترانزیستور floating gate مشابه یک “پخش کننده الکترون ” رفتار نماید . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد. در صورتیکه جریان گیت بیشتر از ۵۰ درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یک را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از ۵۰ درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است. در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده می گردد. در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که ” بلاک ” نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا” ۵۱۲ بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند. کارت های

حافظه فلش
تراشه BIOS در کامپیوتر، متداولترین نوع حافظه فلش است . کارت های SmartMedia و ComapctFlash نیز نمونه های دیگری از حافظه های فلش بوده که اخیرا” متداول شده اند. از کارت های فوق بعنوان “فیلم های الکترونیکی” در دوربین های دیجیتال، استفاده می گردد .کارتهای حافظه برای بازیهای کامپیوتری نظیر Sega و PlayStation نمونه های دیگری از حافظه های فلش می باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد دارای مزایای زیر است :

۲ حافظه های فلش نویز پذیر نمی باشند.
سرعت دستیابی به حافظه های فلش بالا است .
حافظه های فلش دارای اندازه کوچک هستند.
حافظه فلش دارای عناصر قابل حرکت ( نظیر هارد ) نمی باشند.
قیمت حافظه های فلش نسبت به هارد بیشتر است .

شرکت سامسونگ به تازگی ابتکار جدیدی در زمینه تامین حافظه موردنیاز رایانه‌های شخصی به خرج داده است.
به گزارش بخش خبر شبکه فن آوری اطلاعات ایران ، از خبرگزاری سلام، این شرکت قصد دارد از ماه آگوست تولید انبوه دیسک‌های جامدی را آغاز کند که در آنها از تراشه‌های رایانه‌ای و نه صفحات متعدد مکانیکی برای ذخیره سازی اطلاعات استفاده شده استاین در حالی است که تا به امروز در هارد دیسک‌ها از همین صفحه‌ها برای ذخیره سازی اطلاعات استفاده می‌شد. انتظار می‌رود که قیمت این حافظه‌ها هم بسیار اندک باشد. انتظار می‌رود که این حافظه‌های فلاش ابتدا در نوت‌بوک‌ها و tablet pc ها به کار گرفته شوندقرار است در ابتدا مدل‌های ۴، ۸ و ۱۶ گیگابایتی این حافظه‌ها تولید شوند. در صورت موفقیت سامسونگ عمر هارد درایوهای قدیمی به پایان خواهد رسید.