فایل ورد کامل مقاله مطالعه ساختارهای دورآلاییده و بررسی ویژگی‌ها و کاربردهای آن در علوم و فناوری

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله مطالعه ساختارهای دورآلاییده و بررسی ویژگی‌ها و کاربردهای آن در علوم و فناوری دارای ۱۶۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله مطالعه ساختارهای دورآلاییده و بررسی ویژگی‌ها و کاربردهای آن در علوم و فناوری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله مطالعه ساختارهای دورآلاییده و بررسی ویژگی‌ها و کاربردهای آن در علوم و فناوری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله مطالعه ساختارهای دورآلاییده و بررسی ویژگی‌ها و کاربردهای آن در علوم و فناوری :

بخشی از فهرست فایل ورد کامل مقاله مطالعه ساختارهای دورآلاییده و بررسی ویژگی‌ها و کاربردهای آن در علوم و فناوری

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده ۱
مقدمه ۲
۱-۱ نیمه رسانا ۳
۱-۲ نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم ۴
۱-۳ جرم موثر ۴
۱-۴ نیمه رسانای ذاتی ۶
۱-۵ نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش ۷
۱-۶ نیمه رساناهای Si و Ge ۱۰
۱-۷ رشد بلور ۱۳
۱-۷-۱ رشد حجمی بلور ۱۵
۱-۷-۲ رشد رونشستی مواد ۱۵
۱-۷-۳ رونشستی فاز مایع ۱۶
۱-۷-۴ رونشستی فاز بخار ۱۸
۱-۷-۵ رونشستی پرتو مولکولی ۱۹
۱-۸ ساختارهای ناهمگون ۲۰
۱-۹ توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی ۲۱
۱-۱۰ انواع آلایش ۲۳
۱-۱۰-۱ آلایش کپه¬ای ۲۴
۱-۱۰-۲ آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی) ۲۴
۱-۱۰-۳ گاز الکترونی دوبعدی ۲۵
۱-۱۰-۴ گاز حفره¬ای دوبعدی ۲۶
۱- ۱۱ ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ۲۷
۱-۱۱-۱ انواع ساختارهای دورآلاییده به¬¬لحاظ ترتیب رشد لایه¬ها ۲۷
۱-۱۱-۲ انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) ۲۸
۱-۱۱-۳ انواع ساختار دور آلاییده دریچه¬دار ۲۹
۱-۱۲ کاربرد ساختارهای دور آلاییده ۳۳
۱-۱۲-۱ JFET ۳۳
۱-۱۲-۲ MESFET ۳۴
۱-۱۲-۳ MESFET پیوندگاه ناهمگون ۳۵
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی) ۳۸
مقدمه ۳۹
۲-۱ شرط ایده آل و حالتهای سطحی ۴۱
۲-۲ لایه تهی ۴۴
۲-۳ اثر شاتکی ۴۷
۲-۴ مشخصه ارتفاع سد ۵۱
۲-۴-۱ تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد ۵۱
۲-۴-۲ اندازه گیری ارتفاع سد ۵۷
۲-۴-۳ اندازه گیری جریان – ولتاژ ۵۷
۲-۴-۴ اندازه گیری انرژی فعال سازی ۶۰
۲-۴-۵ اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت ۶۰
۲-۴-۶ تنظیم ارتفاع سد ۶۲
۲-۴-۷ کاهش سد ۶۲
۲-۴-۸ افزایش سد ۶۳
۲-۵ اتصالات یکسوساز . ۶۴
۲-۶ سدهای شاتکی نمونه ۶۴
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده ۶۶
مقدمه ۶۷
۳-۱ ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si . ۶۸
۳-۲ ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si ۶۹
۳-۳ محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده. ۷۱
۳-۳-۱ آلایش مدوله شده ایده¬آل ۷۱
۳-۳-۲ محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ۷۴
۳-۳-۳ اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره¬ای ۷۴
۳-۴ روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها ۷۶
۳-۴-۱ تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ۷۷
۳-۴-۲ تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها ۷۸
۳-۴-۳ دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ۷۹
۳-۵ ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ۷۹
۳-۶ انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا ۸۲
۳-۷ تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ¬حفره¬ها ۸۳
۳-۸ ملاحظات تابع موج. ۸۶
۳-۹ وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه ۸۷
۳-۱۰ وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه¬دار ۸۷
فصل چهارم : نتایج محاسبات ۸۹
مقدمه ۹۰
۴-۱ محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ۹۱
۴-۱-۱ محاسبات نظری ns برحسب Ls ۹۱
۴-۱-۲ محاسبات نظری ns برحسب NA ۹۶
۴-۱-۳ محاسبات نظری ns برحسب nc ۹۹
۴-۱-۴ محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ۱۰۰
۴-۲ محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار Si/SiGe/Si ۱۰۰
۴-۲-۱ محاسبات نظری ns برحسب vg ۱۰۰
۴-۲-۲ بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ۱۰۷
۴-۲-۳ بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی ۱۱۴
فصل پنجم : نتایج ۱۲۴
۵-۱مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ۱۲۵
۵-۲ بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه ۱۲۵
پیوست ۱۲۹
چکیده انگلیسی (Abstract) ۱۳۹
منابع ۱۴۱

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می¬یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می¬گیرد اگر لایه¬های مجاور با ناخالصی¬های نوع p آلاییده شده باشند حفره¬های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می¬روند و تشکیل گاز حفره¬ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می¬دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی¬های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی¬های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک¬پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می¬یابد .چگالی سطحی گاز حفره¬ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه¬دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره¬ای قابل کنترل می¬باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می¬گیرند .
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمی¬پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره¬ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه¬دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می¬کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره¬ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته¬ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × ۷۸/۱ تا (m-2) 1015 × ۶۳/۴ ارزیابی کنیم