فایل ورد کامل تحقیق گذری بر میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) و بررسی کاربردهای آن در علوم نانو

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل تحقیق گذری بر میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) و بررسی کاربردهای آن در علوم نانو دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل تحقیق گذری بر میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) و بررسی کاربردهای آن در علوم نانو  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل تحقیق گذری بر میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) و بررسی کاربردهای آن در علوم نانو،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل تحقیق گذری بر میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) و بررسی کاربردهای آن در علوم نانو :

میکروسکپی پروب پیمایشگر (SPM) ، مجموعه تقریبا جدیدی از روشهای میکروسکوپی است که می‌تواند ساختار سطوح را با دقـت اتمـی اندازه‌گیری کنـد. SPM در ابتدا از STM -میکروسکپی تونل زنی پیمایشگر- نشأت گرفته‌است. جریان الکتریکی که در STM توسط تونل‌زنی الکترونها بین تیرک میکروسکوپ و سطح بوجود می‌آید، موجب آشکارسازی فاصله بین اتمها می‌شود. این تکنیک در کل تکنیک جدیدی جهت تصویربرداری از آرایش اتمهای روی سطح و نشان‌‌دادن فواصل واقعی آنهاست. هنوز ارتباط بین پدیده‌های سطحی که مخترعین STM به‌خاطر آن موفق به دریافت جایزه نوبل فیزیک در سال ۱۹۸۶ شدند، بطور کامل برای علم و فناوری مشخص نشده‌است. ازآنجا که سطح نمونه در STM باید هادی جریان الکتریسیته باشد، لذا در سال ۱۹۸۶ روش AFM – میکروسکپی نیروی اتمی- بوجود آمد تا به کمک آن بتوان سطوحی را که هادیهای خوبی نیستند نیز مورد بررسی قرار داد. بنابراین AFM روشی است که به خواص سطح بستگی نداشته و حوزه کاربرد بیشتری دارد. بنابراین تمام مواد را می‌توان توسط AFM مورد بررسی قرار داد. البته نه فقط ساختار سطحی مواد، بلکه بسیاری از خواص دیگر, همانند خواص مکانیکی، مغناطیسی و الکتریکی، نوری، حرارتی و شیمیایی آنها را می‌توان توسط تکنیکهای مبتنی بر AFM اندازه‌گیری نمود.
STM
مبنای کار STM اصل ساده‌ا‌ی است؛ تونل‌زنی الکترون بین دو الکترود به علت وجود میدان الکتریکی. اما عملی‌ساختن این اصل به‌منظور تصویربرداری در مقیاس اتمی از یک سطح، کار ساده‌ا‌ی نیست. برای اندازه‌گیری اثر تونل‌زنی باید فاصله بین دو الکترود در حدود ۱ نانومتر بوده, سطوح بسیار تمیز باشد و سیستم نباید هیچگونه لرزشی داشته‌باشد تا بتوان اثر تونل‌زنی را به دقت اندازه‌گیری کرد.
مکانیک کوانتوم، رابطه‌ا‌ی نمایی بین جریان تونلی و فاصله بین الکترودها پیش‌بینی می‌کند. این وابستگی در سال ۱۹۸۱ توسط چند دانشمند (بینیگ, روهرر, گربر و ویبل ) با آبکاری تیرک وانادیوم و سطح پلاتین اندازه‌گیری شد و این پدیده بعنوان اختراع STM تلقی شد.
بررسی سطح سیلیکون ۷*۷ Si(111) با دقت اتمی در سال ۱۹۸۲ بعنوان انقلاب STM شناخته‌شد و از آن زمان تاکنون مقالات زیادی در مورد تصاویر STM منتشر شده‌است.