فایل ورد کامل مقاله علمی درباره فرآیند یون‌گیری واکنشی و بررسی کاربردهای آن در شیمی و فناوری‌های نوین


در حال بارگذاری
10 جولای 2025
فایل ورد و پاورپوینت
20870
1 بازدید
۹۹,۰۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله علمی درباره فرآیند یون‌گیری واکنشی و بررسی کاربردهای آن در شیمی و فناوری‌های نوین دارای ۱۰۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله علمی درباره فرآیند یون‌گیری واکنشی و بررسی کاربردهای آن در شیمی و فناوری‌های نوین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله علمی درباره فرآیند یون‌گیری واکنشی و بررسی کاربردهای آن در شیمی و فناوری‌های نوین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله علمی درباره فرآیند یون‌گیری واکنشی و بررسی کاربردهای آن در شیمی و فناوری‌های نوین :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر
سخنران: Herbert H.Sawin
پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شده سمینار: July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست
• ارزیابی های سمینار
• معرفی سمینار
• طرح کلی سمینار
• شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
• زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
• روند کار و نوع سمینار
• اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سایت
• یادداشتهای نمونه سمینار
• مقالات اخیر ساوین
• تماس ها برای سوالات
• ثبت نام در وب سایت
• اطلاعات ناحیه بوستون
• سوابق آقای ساوین

۱-معرفی
• فیزیک پلاسما
• فرآیند ریزالکترونیک
۲-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)
• مدل سیفتیک گازی
• مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
• مدل گازی ساده شده
• محتوای انرژی
• نرخ برخورد بین مولکولها
• مسیر آزاد
• سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
• فشار گازی
• خواص انتقال
• جریان گاز
• وضعیت سیال
• رسانایی رساناها
• احتمال برخورد
• پراکندگی گاز- گار
• پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
• انتشار ارتجاعی
• برخورد غیر ارتجاعی
• نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
• عکس العمل های فاز- گازی
۳-فیزیک پلاسما
• توزیع انرژی الکترونی
• سینتیک همگونی پلاسما
• مدل توزیع (مارجینوا)
• مدل توزیع (دروی وشتاین)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
• سینتیک گاز رقیق شده
• شکافت انتشار دو قطبی
• تجمع غلاف
• سینتیک ساده غلاف
• حفاظت یا پوشش «دیبای»
• تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
• آزمایش غلاف بوهم
• خصوصیات میله آزمایش
• شکست و نگهداری، تخلیه rf
• تقریب میدان مشابه
• تقریب میدان غیرمشابه
• مدل سازی ئیدرودینامیک خودساخته تخلیه rf
• اندازه گیری تخریب rf
• مدل توازن الکترونیکی
• مقایسه تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیه rf
• خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
• سیستم همگن (متقارن)
• توزیع ولتاژ در سیستم rf
• توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
• مدار معادل تخلیه rf
• تنظیم الکترودها
• سینتیک بمباران یونی
• تخلیه اپتیکی
• لم اندازه گیری حرکت
• ریزنگاری تخلیه اپتیکی
• فرآیند برخورد الکترون
• برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

  راهنمای خرید:
  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.