یزد دانلود |
دانلود فایل علمی فایل ورد کامل مقاله ترجمهشده بررسی مباحث نوین زیرآستانهای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری با رویکرد مهندسی الکترونیک
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
فایل ورد کامل مقاله ترجمهشده بررسی مباحث نوین زیرآستانهای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری با رویکرد مهندسی الکترونیک دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد فایل ورد کامل مقاله ترجمهشده بررسی مباحث نوین زیرآستانهای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری با رویکرد مهندسی الکترونیک کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله ترجمهشده بررسی مباحث نوین زیرآستانهای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری با رویکرد مهندسی الکترونیک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله ترجمهشده بررسی مباحث نوین زیرآستانهای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری با رویکرد مهندسی الکترونیک :
توضیحات:
مقاله ترجمه شده رشته مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری CMOS شصت و پنج نانومتری، در قالب فایل word و در حجم ۱۳ صفحه، همراه با مقاله انگلیسی زبان اصلی.
عنوان مقاله زبان اصلی:
New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology
ترجمه چکیده:
در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل ۲۳% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
فایل ورد کامل مقاله ترجمهشده بررسی مباحث نوین زیرآستانهای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری با رویکرد مهندسی الکترونیک
فهرست مطالب:
چکیده
مقدمه
مشخصه های زیرآستانه ای در فناوری ۶۵ نانومتر
تحلیل DC
تاثیر Stacking در فناوری ۶۵ نانومتر
فلیپ فلاپ در ناحیه زیرآستانه ای
فلیپ فلاپ لچ هیبریدی
فلیپ فلاپ تقویت کننده حسگری
نتیجه گیری
- لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
- همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
- ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
