فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر ترازهای تله‌ای بر جریان گیت در ترانزیستورهای با تحرک‌پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N/GaN

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر ترازهای تله‌ای بر جریان گیت در ترانزیستورهای با تحرک‌پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N/GaN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر ترازهای تله‌ای بر جریان گیت در ترانزیستورهای با تحرک‌پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N/GaN  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر ترازهای تله‌ای بر جریان گیت در ترانزیستورهای با تحرک‌پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N/GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله پژوهشی درباره اثر ترازهای تله‌ای بر جریان گیت در ترانزیستورهای با تحرک‌پذیری بالای الکترونی Al0.25Ga0.75N/GaN :

چکیده

در ترانزیستورهای اثر میدان ساختارهای نامتجانس AlGaN/GaN ترازهای تله ای سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهای تله ای موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدی وبه درین می شوند.وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند.در این مقاله یک مدل تئوری بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهای تله ای لایه AlGaN ونیز جریانهای نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهای تله ای سطحی ارائه شده است.جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاری بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد.

مقدمه

ترانزیستورهای با تحرک پذیری بالای الکترونی بر مبنای

ساختارهای نیتریدی به دلیل توان بالای خروجی این قطعات، به

عنوان یکی ازکاندیدای مهم در مدارهای فرکانس بالا در دهه های اخیر مورد توجه بوده است. در ساختار

نامتجانسAlGaN/GaN تشکیل گاز الکترونی دو بعدی با

چگالی بالا در فصل مشترک AlGaN وGaN حتی در غیاب هر

گونه آلایش عمدی بدلیل خاصیت پیزوالکتریکی ساختارهای نیتریدی امکانپذیراست. یکی از موانع اصلی درپیشرفت و دستیابی به توانهای بالا در این قطعات وجود یکسری نویزها در این قطعات

است .از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها نشت جریان

گیت است که به دلیل حضور ترازهای تله ای بوجود می

آید۱]و.[۲ کمینه کردن جریان نشتی از گیت بمنظور کاربرد این

ترانزیستورها در مدارها وسیستمهای با نویز پایین امری ضروری

است. [۳]

مدلبندی و محاسبات :

برای محاسبه جریان نشتی از گیت دو حالت مجزای زیر را مورد

قراربررسی میدهیم: