فایل ورد کامل مقاله علمی درباره کاربرد نانولوله‌های کربنی در طراحی و ساخت نمایشگرهای پیشرفته گسیل میدانی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مقاله علمی درباره کاربرد نانولوله‌های کربنی در طراحی و ساخت نمایشگرهای پیشرفته گسیل میدانی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مقاله علمی درباره کاربرد نانولوله‌های کربنی در طراحی و ساخت نمایشگرهای پیشرفته گسیل میدانی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مقاله علمی درباره کاربرد نانولوله‌های کربنی در طراحی و ساخت نمایشگرهای پیشرفته گسیل میدانی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل مقاله علمی درباره کاربرد نانولوله‌های کربنی در طراحی و ساخت نمایشگرهای پیشرفته گسیل میدانی :

چکیده

در این مقاله ساخت نانولوله های کربنی عمودی رشدیافته ومحصور شده در اکسید تیتانیوم و عملکرد گسیل الکترونی آنها ارائه می شود. رشد نانولوله های کربنی به روش DC-PECVD و با مخلوطی از گازهای استیلن و هیدروژن و در حضور نیکل به عنوان کاتالیست صورت گرفته است. اکسید تیتانیم به روش لایه نشانی بخار شیمیایی در فشار اتمسفرو به منظور کپسوله کردن نانولوله های کربنی و بهبود خواص فیزیکی آنها لایه نشانی شده است .این ساختارها با استفاده از میکروسکپ الکترونی روبشی بررسی شده اند. الکترون گسیلی اندازه گیری ونمایشگر گسیل میدانی اولیه ای ساخته شده است.

مقدمه

نانولوله های کربنی به دلیل خواص الکتریکی ومکانیکی

استثنایی برای استفاده در ساخت قطعات الکترونیکی از جمله قطعات گسیل میدانی و نمایشگرها کاربرد دارند۱]و. [ ۲ در سال های اخیر تکنیکهای متعددی برای رشد نانولوله ها استفاده شده

است، که از آن جمله می توان به روش لایه نشانی با تبخیر

شیمیایی و تبخیر لیزری و روش استفاده از تخلی ه الکتریکی و لایه

نشانی با تبخیر شیمیایی به کمک پلاسما اشاره کرد۳]تا. [ ۵ اگر

چه برای بهینه سازی خاصیت گسیل الکترون، رشد عمودی

نانولوله ها مناسب می باشد. کاربرد نانولوله ها در مدارهای منطقی

نیز مورد بررسی قرار گرفته است.

در این مقاله بهبود قطعات گسیل میدانی دارای گیت گزارش شده است که به صورت نانوساختار محصور شده هستند که دارای کنترل کامل بر گسیل جریان توسط ولتاژ اعمالی بر روی الکترود

گیت می باشند. همچنین کاربرد نانولوله های عمودی محصور شده

با قابلیت آدرس دهی در راستای x-y بر روی زیر لایه ، در ساخت

نمایشگرهای مسطح ارایه شده است..

روش انجام آزمایش

ویفر سیلیسیوم نوع P با جهت گیری (۱۰۰) با استفاده از

محلول RCA تمیز می شود. ویفرهای شسته شده برای لایه نشانی

لایه ۵ تا ۱۰ نانومتری نیکل که به عنوان کاتالیست رشد عمل می

کند، در داخل سیستم لایه نشانی تبخیر با باریکه الکترونی قرار می

۶۶ مقاله نامه کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

گیرد. برای برخی کاربردها، لایه نیکل با استفاده از فوتولیتوگرافی

استاندارد الگو دهی می شود. رشد نانولوله ها در داخل سیستم

DC-PECVD انجام می شود. فشار پایه برای رشد نانولوله ها در

محفظه کوارتزی این سیستم در حدود ۳ تا ۱۰تور است که توسط

پمپ روتوری و پمپ توربو مکانیکال تأمین می شود. دو مرحله آماده سازی سطح روی نمونه ها انجام می شود، ابتدا توسط

هیدروژن به مدت ۱۵ دقیقه گرمادهی می شوند و سپس در معرض

پلاسمای هیدروژن با توان ۵ w/cm2 به مدت ۵ دقیقه سطح نمونه

ها هیدروژن دهی می شود تا دانه های نیکل روی سطح ایجاد شود، که پایه رشد نانولوله ها هستند. سپس گاز استیلن وارد

سیستم می شود تا در معرض شار هیدروژن و استیلن به نسبت به

ترتیب ۶ به ۱ در دمای ۶۵۰ درجه سلزیوس رشد نانولوله ها انجام گیرد. پس از رشد نانولوله ها به کمک روش لایه نشانی بخار شیمیایی لایه ای از اکسید تیتانیوم روی آنها لایه نشانی می کنیم و به دنبال آن به طور مکانیکی روی نمونه ها را صیقل می دهیم که منجر به پاک شدن سر نانولوله ها از اکسید تیتانیوم می شود. با

استفاده از پلاسمای اکسیژن مقداری از ارتفاع نانولوله ها را می

سوزانیم تا ارتفاع آنها از لایه اکسید تیتانیوم پایین تر آید.

شکل :۱ مراحل ساخت نانوساختارهای محصور شده. شکل زیرین ساختار

دارای گیت فلزی را نشان می دهد.

ماده چگال: نانو ساختارها

نانولوله ها پس از رشد تا صیقل دادن ، سوزاندن و ساخت گیت را

نشان می دهد.

نتایج آزمایش

مجموعه ای از نانولوله های کربنی عمودی الگودهی شده در

شکل ۲ نشان داده شده است. این الگودهی به روش استاندارد

فوتولیتوگرافی روی کاتالیست نیکل انجام شده است.