فایل کامل مطالعه ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs با رویکرد فیزیک کاربردی

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 فایل کامل مطالعه ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs با رویکرد فیزیک کاربردی دارای ۱۸ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در Power Point می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل پاور پوینت فایل کامل مطالعه ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs با رویکرد فیزیک کاربردی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز فایل کامل مطالعه ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs با رویکرد فیزیک کاربردی۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی فایل کامل مطالعه ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs با رویکرد فیزیک کاربردی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل کامل مطالعه ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAs با رویکرد فیزیک کاربردی :

بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه‌هادی GaAS

نور لیزر

تعریف: نور تقویت شده به وسیله گسیل القایی

Light Amplitude Stimulated Emission of Radiation

LASER

مشخصات نور لیزر:

۱.تکفامی ۲.درخشایی ۳.همدوسی ۴.جهتمندی

اصل تعادل گرمایی:بنابر قانون بولتزمان اتمها ابتدا ترازهای پایین را اشغال و سپس تراز بالا را اشغال میکنند.

برهمکنش امواج الکترومغناطیسی با اتم

.۱گسیل القایی .۲گسیل خود بخودی .۳جذب

شرط اساسی ایجاد نور لیزر

ایجاد وارونی انبوهی(inverse population):

روش های ایجاد وارونی انبوهی:

.۱دمش اپتیکی .۲دمش الکتریکی

هدف از دمش این است که فرآیند گسیل القایی بر فرآیند جذب غلبه کند یعنی: بهره > اتلاف

انواع باز ترکیب و گاف نوار انرژی

.۱باز ترکیب تابشی: نتیجه آن تولید فوتون است.

.۲باز ترکیب غیر تابشی: نتیجه آن اتلاف انرژی بصورت گرما(فونون) است.

Øگاف مستقیم GaAs در این مواد تولید فوتون داریم. Øگاف غیر مستقیم Ge,Si در این مواد تولید فونون داریم.

ساختارتخت بلند(FP )

Øدر ساختار تخت یکنواخت به دلیل یکنواختی محیط اطراف لایه فعال اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده اتفاق نمی افتد؛ بنابراین چگالی جریان آستانه بالایی دارند. Øدر ساختار چندگانه اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده رخ میدهد.(به دلیل وجود لایه های مختلف ضرایب شکست متفاوت است.)