فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین دارای ۲۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین :

فایل ورد کامل پژوهش کامل درباره حافظه‌های فلش با بررسی فناوری ذخیره‌سازی، ویژگی‌ها و کاربردهای نوین

انواع ROM

تولید تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب تولید کنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) نامیده می شوند ، تولید می کنند.این نوع از تراشه ها با محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند.

ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با این تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از یک فیوز( برای اتصال به یکدیگر) استفاده می گردد. یک شارژ که از طریق یک ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یک سلول پاس داده شده و بدین ترتیب به یک سطر Grounded که نماینگر مقدار “یک” است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اینکه تمام سلول ها دارای یک فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، یک تراشه PROM دارای مقدار اولیه ” یک” است . بمنظور تغییر مقدار یک سلول به صفر، از یک Programmer برای ارسال یک جریان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.

ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) خواهد کرد. فرآیند فوق را ” Burning the PROM ” می گویند. حافظه های PROM صرفا” یک بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و یک جریان حاصل از الکتریسیته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فیوز در تراشه شده و مقدار یک را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) حافظه ای PROM دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یک ROM ، قبل از برنامه ریزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.