توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل مطالعه تخصصی دیودهای قدرت با بررسی ساختار، عملکرد و کاربردهای آن در سیستم‌های الکترونیکی دارای ۲۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل مطالعه تخصصی دیودهای قدرت با بررسی ساختار، عملکرد و کاربردهای آن در سیستم‌های الکترونیکی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز فایل ورد کامل مطالعه تخصصی دیودهای قدرت با بررسی ساختار، عملکرد و کاربردهای آن در سیستم‌های الکترونیکی۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل مطالعه تخصصی دیودهای قدرت با بررسی ساختار، عملکرد و کاربردهای آن در سیستم‌های الکترونیکی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

---

بخشی از متن فایل ورد کامل مطالعه تخصصی دیودهای قدرت با بررسی ساختار، عملکرد و کاربردهای آن در سیستم‌های الکترونیکی :

فایل ورد کامل مطالعه تخصصی دیودهای قدرت با بررسی ساختار، عملکرد و کاربردهای آن در سیستم‌های الکترونیکی

انواع دیودهای قدرت

در حالت ایده آل دیود نباید هیچ زمانی بازیابی معکوسی داشته باشد که هزینه ساخت دیود را افزایش می دهد . در بسیاری از کاربردهای اثرات زمان بازیابی معکوس چندان اهمیت ندارند و می توان از دیود از دیودهای ارزان استفاده کرد . بسته به مشخصه های بازیابی و روشهای ساخت ، دیودهای قدرت را به سه گروه می توان تقسیم کرد . مشخصه ها و محدودیت های عملی هر گروه کاربردشان را مشخص می کند .

۱- دیودهای استاندارد یا همه منظوره

۲- دیودهای بازیابی سریع

۳- دیودهای شاتکی

دیودهای همه منظوره

دیودهای یکسو کننده همه منظوره زمان بازیابی معکوس نسبتاً زیادی دارند که در حدودs μ 25 است و در کاربردهای سرعت پایین بکار می روند که زمان بازیابی چندان اهمیتی ندارد (برای مثال در یکسو کننده ها و مبدلهای دیودی در کاربردهای فرکانس رودی کم تا ۱KHz ومبدلهای کموتاسیون خط ) .محدوده جریان این دیودها از کمتر از یک آمپر تا چند هزار آمپر و محدوده ولتاژ ۵۰v تا حدود ۵kv می باشد . این دیودها معمولاً به روش دیفیوژن ساخته می شوند . با این وجود یکسو کننده های آلیاژی که در منابع تغذیه دستگاههای جوشکاری بکار می روند از لحاظ هزینه به صرفه تر هستند و محدوده کاری آنها تا ۳۰۰A و ۱۰۰۰V می رسد .

دیودهای بازیابی سریع

دیودهای بازیابی سریع زمان بازیابی کوچکی (به طور معمول کمتر از s μ ) دارند . این دیودها در مدارهای مبدل dc به dc,dc,dc به ac که سرعت بازیابی اغلب اهمیت بحرانی ای دارد بکار می روند . محدوده جریانی کارکرد این دیودها از کمتر از یک آمپر تا چند صد آمپر و محدوده ولتاژشان از ۵۰ v تا حدود ۳kv است .

برای محدوده ولتاژ بالای ۴۰۰v ،‌دیودهای بازیابی سریع عموماً به روش دیفیوژن ساخته می شوند و زمان بازیابی بوسیله دیفیوژن طلا یا پلاتین کنترل می شود . برای محدوده ولتاژ کمتر از ۴۰۰ v دیودهای اپی تکسال سرعت کلید زنی بیشتری نسبت به دیودهای دیفیوژنی دارند . دیودهای اپی تکسال پهنای بیس کمی دارند که باعث می شود زمان بازیابی کوچکی در حدود ۵۰ns داشته باشند .

دیودهای شاتکی

مشکل ذخیره بار در پیوند p-n در دیودهای شاتکی حذف (یا حداقل ) شده است . این کار از طریق ایجاد یک سد پتانسیل که میان یک فلز و یک نیمه هادی متصل می شود ، انجام می پذیرد . یک لایه فلزی روی یک لایه اپی تکسیال باریک از سیلیکون نوع n قرار داده می شوند . سد پتانسیل رفتار یک پیوند p-n را شبیه سازی می کند . عمل یکسو کنندگی فقط به حاملهای اکثریت بستگی دارد و در نتیجه حاملهای اقلیت اضافی ای برای ترکیب شدن وجود ندارند . اثر بازریابی منحصراً به خاطر ظرفیت خازنی خودپیوند نیمه هادی است .

بار الکتریکی بازیابی یافته در یک شاتکی خیلی کمتر از یک دیود پیوند p-n معادل است . از انجایی که این بار ناشی از ظرفیت خازنی پیوند است تا حد زیادی مستقل از di/dt معکوس می باشد . دیودهای شاتکی افت ولتاژ مستقیم نسبتاً کوچکی دارند .

جریان نشتی دیودهای شاتکی بیشتر از دیودهای پیوند p-n است . یک دیود شاتکی با ولتاژ هدایت نسبتاً کم ، جریان نشتی نسبتاً زیادی دارد و برعکس . در نتیجه حداکثر ولتاژ مجاز آن معمولاً به ۱۰۰v محدود می شود . محدوده جریان کاری دیودهای شاتکی از ۱ تا ۳۰۰A می باشد . دیودهای شاتکی برای بکار گیری در منابع تغذیه dc با ولتاژ کم و جریان بالا ایده آل هستند . اگر چه به منظور بالا بردن بازده ، این دیودها در منابع تغذیه با جریان کم نیز استفاده می شوند .

اثرات زمان بازیابی معکوس و مستقیم

اهمیت این پارامترها را می توان از روی شکل توضیح داد . اگر کلید sw در لحظه t=o بسته شود و به حد کافی بسته باقی بماند ، یک جریان حالت پایدار از بار خواهد گذشت و دیود هرز گرد Dm جریان خواهد یافت . حالا اگر کلید دوباره در t= t1 بسته شود دیود Dm مثل یک اتصال کوتا ه عمل می کند . سرعت افزایش جریان مستقیم کلید (و دیود D1) و سرعت کاهش جریان مستقیم دیود Dm خیلی زیاد خواهد بود و به بی نهایت میل می کند . پیک جریان معکوس دیود Dm می تواند خیلی زیاد باشد و دیود های D1 و Dm ممکن است آسیب ببیند .

این مشکل را اغلب می توان با اتصال یک سلف Ls محدود کننده di /dt حل کرد .

دیودهای واقعی به زمان معینی برای روشن شدن نیاز دارند تا اینکه تمامی سطح پیوند رسانا شود و di/dt باید کم نگه داشته شود تا محدودیت زمان روشن شدن رعایت شود . این زمان گاهی اوقات با نام زمان باز یابی مستقیم tf نیز ذکر می شود .

انواع تریستورها

تریستورها تقریبا تنها به روش تزریق ساخته می شوند . جریان آند برای انتشار از نزدیکی گیت به تمام سطح پیوند ( هنگامی که سیگنال جهت روشن کردن تریستور اعمال می شود ) به زمان معینی نیاز دارد .

سازندگان برای کنترل di/ dt ، زمان روشن شدن و زمان خاموش شدن ، از ساختارهای متفاوتی برای گیت استفاده می کنند . تریستورها بسته به ساختار فیزیکی و محوه روشن و خاموش شدن ، به ۹ دسته زیر تقسیم می شوند :

۱- تریستورهای کنترل فاز ( SCR )

۲- تریستورهای کلید زنی سریع ( SCR )

۳- تریستورهای خاموش شونده با گیت ( GTO)

۴- تریستورهای سه قطبیدو جهته ( TRIAC )

۵- تریستورهای هدایت معکوس ( RCT )

می کند.

تریستورهای هدایت معکوس

در بسیاری از مدارهای چاپر و اینورتر یک دیود به صورت موازی معکوس به یک تریستور متصل می شود تا نیاز خاموشی مدار کموتاسیون را بهبود بخشیده و امکان برقراری جریان معکوس ناشی از بار سلفی را فراهم کند . دیود ، سطح ولتاژ ممانعت کننده معکوس تریستور را به یک تا دو ولت زیر مقدار حالت پایدار می آورد . گر چه در شرایط گذار ممکن است ولتاژ معکوس به خاطر ولتاژ القا شدهدر اندوکتانس پراکندگی مدار در قطعه به ۳۰V برسد.

RCT قطعه ای است که مشخصه های عنصر را با نیاز مار تطبیق می دهد و می توان مشابه یک تریستور با یک دیود موازی معکوس در داخل آن در نظر گرفت . RTC تریستور نامتقارن نیز نامیده می شود . ولتاژ ممانعت کننده مستقیم بین ۴۰۰ تا ۲۰۰۰V تغییر کرده و جریان می تواند تا ۵۰۰ A افزارش یابد . مقدار ولتاژ ممانعت کننده معکوس معمولاً بین ۳۰ تا ۴۰ ولت است . از انجایی که نسبت جریان مستقیم گذرانده از تریستور به جریان معکوس دیود برای یک قطعه مقدار ثابتی است ، کاربردهای آنها به طراحی مدارهای خاص محدود می شود .

ترانزیستورهای پیوند دو قطبی

یک ترانزیستور دو قطبی از افزودن یک ناحیه P یا N ثانوی به یک دیود پیوند P-n به وجود می آید . یا در ناحیه n و یک ناحیه P دو پیوند تشکیل می گردد و حاصل به عنوان یک ترانزیسور npn شناخته می شود . با دو ناحیه p و یک ناحیه n ترانزیستور pnp شناخته به وجود می آید . سه ترمینال موجود کلکتور ،‌امیتر و بیس نامیده می شوند . یک ترانزیستور دو قطبی دو پیوند به نامهای پیوند کلکتور – بیس و پیوند بیس – امیتر دارد .