فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده :

فایل فلش مموری ( حافظه های الکترونیکی )

فایل ورد کامل فلش مموری؛ بررسی فناوری حافظه‌های الکترونیکی و کاربردهای نوین در ذخیره‌سازی داده
فهرست مطالب:

Flash Memory چیست؟

Tunneling :

فلش مموری

Flash برای چه بوجود آمد؟

تصاویر Vector به چه معنی است ؟؟؟

بخشهایی از متن:

Flash Memory چیست؟

حافظه های الکترونیکی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم . …

…

حافظه فلش یک نوع از EEPROM ) Electronically Erasable Programmable Read only memory ) است که از شبکه ای ماتریسی (سطری ستونی) از سلول هایی با دو ترانزیستور در هر تقاطع سطر ستون تشکیل یافته است. دو ترانزیستور به وسیله لایه نازکی از اکسید از یکدیگر جدا گردیده اند و به طور مستقل کار می کنند.

یکی از ترانزیستور ها همانند دریچه ای شناور عمل می نماید و دیگری مسئولیت دریچه کنترل ره به عهده دارد . تنها اتصال گیت شناور به سطر یا word line از میان گیت کنترل می گذرد. تا زمانیکه این پیوند بر قرار است مقدار سلول حافظه برابر یک قرار می گیرد. برای تغییر مقدار یک به صفر لازم است یک پردازش خاص به نام Fowler –Nordheim tunneling انجام گیرد. …

…